摘要：
一季度，三星利润达57.2万亿韩元（约2598亿元），逐步逼近英伟达单季度的429亿美元（约2941亿元），已经超过了腾讯2025年全年利润（2248亿元）。
今天，三星电子公布了2026年一季度业绩预告，交出了一份刷新历史的炸裂成绩单：单季营收133万亿韩元（约合881亿美元），利润57.2万亿韩元（约合379亿美元）。
图源｜三星电子官网
这一利润数字比去年同期的6.69万亿韩元暴增了755%，是公司历史单季纪录的近3倍，甚至超过三星2025年全年43.6万亿韩元的总利润。
细看这份业绩会发现，数据背后是一场极端的利润结构重构。在三星电子57.2万亿韩元的营业利润中，外界普遍认为“强劲的AI芯片需求是利润增长的关键因素”。其中，美利兹证券预计，三星的芯片部门（Samsung’s chip division）实现了约54万亿韩元的营业利润，约占总额的95%，而其手机、显示、家电等传统业务只贡献了约4万亿韩元。
可以说，这份业绩并非简单的行业周期性复苏，而是AI算力需求爆炸下，全球硬件成本“通胀”的信号。
具体来看，三星利润暴涨的核心，是存储芯片价格的“失控式”上涨。作为AI时代的“数字石油”，HBM（高带宽内存）的价格在很短的时间内经历了一轮史诗级上涨。据TrendForce（集邦咨询）数据，2025年初主流HBM价格约30美元/颗，而到了今年一季度，同规格的产品售价已达120-150美元/颗，涨幅约300%～400%。
而据CounterPoint等三方研究机构测试，三星的HBM产品的整体市占率约25%～30%，仅次于SK海力士。HBM价格上涨，让三星多了一头“利润奶牛”。
更具冲击力的是服务器DRAM（运行内存）。受AI服务器“海量吃内存”拉动，今年一季度DRAM合约价环比暴涨90%~95%，近乎翻倍。TrendForce数据显示，主流服务器DDR5价格单季跳升近一倍，且三星已与客户敲定今年二季度价格再涨30%的协议。
此外，NAND闪存（存储内存）在今年一季度的整体合约价也环比上涨了55%～60%。而三星是全球最大的NAND闪存厂商之一，市占率稳居前列。
从HBM到通用DRAM、再到NAND闪存，涨价已从高端局部扩散至全品类。而作为全球存储龙头之一，三星也凭借在这三大品类上的规模与定价优势，直接吃下了这一轮涨价红利，成为最核心的受益者之一。
从三星电子一季度的业绩结构中不难看出，其利润的暴涨并非来自产品创新或销量爆发，而是价格上涨。
这意味着，AI 算力需求正在改写电子行业传统的定价逻辑，让原本周期性波动的存储市场，进入一轮非常规的价格上涨通道。
历史上，DRAM 与 NAND 闪存价格涨跌本是常态，行业长期处于 “供需失衡 — 价格波动 — 产能调整 — 再平衡” 的周期运动中，涨价通常被视为行业复苏的正常信号。
但本轮上涨从根源上就偏离了传统周期：起点是 AI 大模型与算力中心爆发，带动了 HBM 高带宽内存与高性能服务器 DRAM 需求上涨。市场最初判断，AI只会拉动“高端存储”，属于结构性利好。
但现实中的变化更为复杂。一方面，AI 需求并未停留在 HBM 单点，而是快速向全存储品类外溢，普通服务器 DRAM 与企业级 NAND 需求同步激增。另一方面，三星、海力士等厂商将产能优先投向高毛利的AI 存储，进一步挤压普通的消费级存储供给。多重因素影响下，涨价逐渐从高端局部蔓延至全品类。
当全品类存储都同步涨价，他的性质就已经超越行业周期，更像是一场由AI驱动的 “硬件通胀”。
问题是，这种硬件通胀，会如何反噬终端行业？
上游涨价肯定不会止步于芯片环节，必然向下游传导，那么手机、PC、汽车电子等终端行业都将面临成本上涨的压力。三星财报中，存储业务包揽绝大部分利润、手机等传统业务利润被明显挤压，就是这种成本传导的信号。
面对刚性上涨的存储成本，终端厂商会如何应战？是压缩自身利润空间，以价换量维持市场份额？还是将成本压力转嫁给消费者，提高终端售价？
无论选择哪条路径，压力都会沿着产业链传递。AI 带来的上游红利，正逐步转化为下游的成本负担，而这轮硬件通胀的最终买单者，很可能落到每一位普通消费者身上。
本文来自微信公众号“凤凰网科技”，作者：凤凰网科技，36氪经授权发布。
发布时间：2026-04-07 20:33
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